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IG***具有非常低的导通压降与优秀的导通电流密度,所以可以使用更小尺寸的器件从而降低成本,因为栅极结构使用MOS管的同类设计,所以驱动功率非常小,驱动电路也很简单,与可控硅/BJT这些电流控制型器件来比,在高压与高电流应用场景,IG***非常易于控制。
IG***常用于中高电压、中频率的应用,如电力逆变器、电动汽车控制、交流电机控制等。选择使用MOSFET或IG***取决于具体的应用需求,包括电压范围、频率、效率和功率等因素。在电路设计中,工程师会根据这些因素来决定使用哪种器件以满足性能和效率要求。浮思特科技,TRinno一级代理,稳定出货IG***,欢迎询价。
MOSFET和IG***是电压控制器件,类似于场效应管,可通过栅极电压控制其导通和关断,开关速度高于GTO,由于MOSFET的耐压水平不能再继续提高,后推出场效应管与双极型管结合的器件IG***。它们共同的作用就是可以用较小的电流(或电压)去控制较大的电流,同时都具有单向导电性,均可作为整流和逆变元件使用,。
在IG***开通关断的时候会有很大的di/dt,电路杂生电感的存在会产生dv/dt,吸收就是吸收dv/dt。
IG***是一种巨型的晶体管,和变压器风马牛不相及。但是这种器件正是未来电力电子,电力传动,新能源等高科技产业的核心元件。现今已有部分取代铜铁(传统变压器)铝(电容器)产业的倾向。
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